俄德合資成立的NSC-Nanosemiconductor GmbH公司近日宣布，密西根大學(xué)的研究人員采用該公司提供的晶圓，已經(jīng)制作出能在0~80℃范圍內(nèi)穩(wěn)定工作的波長(zhǎng)1.3μm邊射型半導(dǎo)體激光器(edge-emitting semiconductor laser)。
NSC-Nanosemiconductor GmbH的首席執(zhí)行官Berned Meyer表示，量子點(diǎn) (quantum dot)技術(shù)及分子束外延(MBE)制造法所提供的溫度穩(wěn)定性，使半導(dǎo)體激光器不需要熱電偶冷卻器及復(fù)雜的光探測(cè)電路，就能在一定的溫度范圍內(nèi)維持固定的工作功率，光收發(fā)器制造商將因此得以節(jié)省成本并簡(jiǎn)化工藝。
這家由俄羅斯Abram Ioffe物理技術(shù)研究獨(dú)立出來的公司，采用的是與砷化鎵 (GaAs)有關(guān)的量子點(diǎn)技術(shù)及一種降低缺陷的專利技術(shù)。該公司宣稱，Pallab Bhattacharya 領(lǐng)導(dǎo)的密西根研究小組已將他們生產(chǎn)的晶圓加工成400μ×3μ的脊?fàn)畈▽?dǎo)激光器(ridge waveguide laser)。
Bhattacharya指出，實(shí)驗(yàn)已經(jīng)證明自組織（self-organized）量子點(diǎn)激光器有超低的閥值電流、高輸出功率及效率、極低的啁啾現(xiàn)象、小于1的線寬增強(qiáng)因子，以及大的調(diào)制頻寬，現(xiàn)在再加上工作不受溫度影響，量子點(diǎn)激光器已經(jīng)蛻變成令人敬畏的技術(shù)。 Abram Ioffe的所長(zhǎng)諾貝爾獎(jiǎng)得主Zhores Alferov，同時(shí)也是NSC-Nanosemiconductor科學(xué)顧問群的榮譽(yù)主席，對(duì)于多年的先進(jìn)研究得以真正實(shí)現(xiàn)也表示非常欣慰，并斷言這只是量子點(diǎn)技術(shù)進(jìn)一步技改造半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域的開端。