納米時代半導體可能不再用硅 輝鉬材料異軍突起
發布時間：2011-02-10
來源：中國自動化網
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產業分析
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據美國物理學家組織網1月31日報道，近日，瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）納米電子學與結構（LANES）實驗室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料制造半導體，或用來制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設備領域，將比傳統的硅材料或富勒烯更有優勢。研究論文發表在1月30日的《自然・納米技術》雜志上。
輝鉬在自然界中含量豐富，通常用于合金鋼或潤滑油添加劑中的成分，在電子學領域尚未得到廣泛研究。“它是一種二維材料，非常薄，很容易用在納米技術上，在制造微型晶體管、發光二極管（LEDs）、太陽能電池等方面有很大潛力?！甭迳Ｂ摪罾砉W院教授安德列斯・凱斯說，他們將這種材料同硅以及當前主要用于電子和計算機芯片的富勒烯進行了對比。
同硅相比，輝鉬的優勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而硅是一種三維材料?！霸谝粡?.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運動和在兩納米厚的硅薄膜上一樣容易?！眲P斯解釋說，“但目前不可能把硅薄膜做得像輝鉬薄膜那么薄?！?/BR>
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