東芝與海力士半導體合作研發MRAM內存技術
發布時間：2011-07-15
來源：中國自動化網
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東芝周三（713）宣布與韓國海力士半導體（Hynix Semiconductor）合作研發磁電阻式隨機存取內存（MRAM）技術，今后將在韓國利川的海力士研究設施中集結雙方技術人才，積極推動此合作計劃。
MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關閉電源也能保存數據的非揮發性內存，東芝早在2007年時就已經研發全球首創的MRAM技術，也就是能讓MRAM內存儲存量增加至GB等級的垂直磁化技術。
藉由此次合作，東芝打算運用本身擅長的NAND閃存技術與MRAM組成信賴度高的組合式記憶系統，藉此創造除了SSD固態硬盤、芯片事業之外的新NAND閃存應用模式。
東芝說明，選擇與海力士合作是因為該社有許多MRAM的研發實績，借著雙方合作既可降低研發成本，同時又能加速MRAM的實用化進程。往后也會視技術合作情形，與海力士協商研討共同制造MRAM相關產品的可能性。
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