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          Microchip推出最新一代汽車用700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管

          發(fā)布時(shí)間:2020-10-29 來源:中國(guó)自動(dòng)化網(wǎng) 類型:產(chǎn)品資訊 人瀏覽
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          功率器件 Microchip 微芯科技

          導(dǎo)  讀:

          Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今日宣布推出最新通過認(rèn)證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)功率器件,為電動(dòng)汽車(EV)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案,同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。


            汽車電氣化浪潮正席卷全球,電動(dòng)汽車搭載的電機(jī)、車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等高壓汽車系統(tǒng)都需要碳化硅(SiC)等創(chuàng)新電源技術(shù)。Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今日宣布推出最新通過認(rèn)證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)功率器件,為電動(dòng)汽車(EV)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案,同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。


          Microchip,微芯科技,功率器件


            Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認(rèn)證,對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)量的電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)人員來說,可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠性和耐用性,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定和持久的應(yīng)用壽命。新器件卓越的雪崩整流性能使設(shè)計(jì)人員可以減少對(duì)外部保護(hù)電路的需求,降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。

            Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示:“作為汽車行業(yè)的長(zhǎng)期供應(yīng)商,Microchip持續(xù)拓展車用電源解決方案,引領(lǐng)汽車電氣化領(lǐng)域的電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)型。我們一直專注于提供汽車解決方案,幫助客戶輕松過渡到碳化硅(SiC),同時(shí)將質(zhì)量、供應(yīng)和支持挑戰(zhàn)的風(fēng)險(xiǎn)降至最低?!?br />


          Microchip,微芯科技,功率器件


            Microchip作為汽車行業(yè)供應(yīng)商的歷史已經(jīng)超過25年。公司擁有碳化硅(SiC)技術(shù)以及多個(gè)通過IATF 16949:2016認(rèn)證的制造工廠,可通過靈活的制造方案提供高質(zhì)量器件,幫助最大限度地降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。

            經(jīng)過Microchip內(nèi)部以及第三方測(cè)試,關(guān)鍵可靠性指標(biāo)已經(jīng)證明,與其他廠商生產(chǎn)的SiC器件相比,Microchip的器件性能更加卓越。與其他在極端條件下出現(xiàn)性能下降的碳化硅(SiC)器件不同,Microchip器件性能保持穩(wěn)定,有助于延長(zhǎng)應(yīng)用壽命。Microchip碳化硅(SiC)解決方案的可靠性和耐用性在業(yè)界處于領(lǐng)先水平。其耐用性測(cè)試表明,Microchip的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)在非箝位電感開關(guān)(UIS)中的能量承受能力提升20%,在高溫下電流泄漏水平最低,從而可以延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命,實(shí)現(xiàn)更可靠的運(yùn)行。

            Microchip的SiC汽車功率器件進(jìn)一步拓展了其豐富的控制器、模擬和連接解決方案產(chǎn)品組合,為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車和充電站的整體系統(tǒng)解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅(SiC)裸片,提供700、1200和1700V碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)功率模塊的廣泛產(chǎn)品組合。此外,Microchip推出的dsPIC®數(shù)字信號(hào)控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設(shè)。Microchip的AgileSwitch®系列數(shù)字可編程門驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步加快了從設(shè)計(jì)階段到生產(chǎn)的進(jìn)程。這些解決方案還可應(yīng)用于可再生能源、電網(wǎng)、工業(yè)、交通、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、航空航天和國(guó)防系統(tǒng)。

            開發(fā)工具

            Microchip通過AEC-Q101認(rèn)證的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)器件支持SPICE和PLECS仿真模型以及MPLAB®Mindi?模擬仿真器。同時(shí)還提供Microchip SBD(1200V,50A)作為功率級(jí)的一部分的PLECS參考設(shè)計(jì)模型,即Vienna三相功率因數(shù)校正(PFC)參考設(shè)計(jì)。

            供貨與定價(jià)

            Microchip車用的700和1200V SiC SBD器件(也可作為功率模塊的裸片)已經(jīng)通過AEC-Q101認(rèn)證,現(xiàn)已開始接受批量訂單。如需了解更多信息,請(qǐng)聯(lián)系Microchip銷售代表、全球授權(quán)經(jīng)銷商或訪問Microchip網(wǎng)站。

          免責(zé)聲明:本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn),與中國(guó)自動(dòng)化網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí),對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾,請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容!來源網(wǎng)絡(luò)如有誤有侵權(quán)則刪。

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