性能特點
替代第3代DSA系列，V系列和HSA系列IPM
采用全柵型CSTBT
TM硅片具有低損耗
600V: Vce(sat)(@Tj=125?C)=2.55V －－-> 1.75V
1200V: Vce(sat)(@Tj=125?C)=2.6V －－-> 1.85V
優化片上溫度傳感器
新的結線技術顯著改善功率循環
兼容現有V系列小封裝
SXR端子提供穩壓電源供外部光耦使用（可選）
V1系列IPM使得變頻器的功率損耗與傳統產品相比，降低約20%
（PM300DV1A120與PM300DVA120相比較）
內部框圖
應用領域
高端通用變頻器、伺服電機驅動器等
封裝尺寸
120mm×70mm
IPM (V1 series)
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VCES (V)
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結構
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Ic(A)
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200
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300
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400
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450
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600
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600
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2單元
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PM400DV1A060 (411KB)
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PM600DV1A060 (410KB)
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1200
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2單元
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PM200DV1A120 (410KB)
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PM300DV1A120 (410KB)
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PM450DV1A120 (412KB)
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