IGBT

IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式，還有混合型特有的失效模式。

柵極電阻影響IGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗等。文章分析了通過優(yōu)化柵極電阻RG來調(diào)節(jié)IGBT的動(dòng)態(tài)特性，使其工作在最佳開關(guān)狀態(tài)。

多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，

2010年，變頻器行業(yè)增長(zhǎng)速度達(dá)到27.27%，主要是中低壓變頻器去年供不應(yīng)求，增速達(dá)到30%，第一次出現(xiàn)比高壓變頻器增速高的狀況，高壓變頻器增速為22.7%。

高壓變頻器競(jìng)爭(zhēng)加劇，價(jià)格繼續(xù)呈下降趨勢(shì)。經(jīng)過測(cè)算，未來變頻器行業(yè)將繼續(xù)維持20%左右的速度高速增長(zhǎng)。

IGBT管在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位IGBT管的開通和關(guān)斷是由柵極電壓來控制IGBT管的。