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IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式,還有混合型特有的失效模式。
柵極電阻影響IGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗等。文章分析了通過優(yōu)化柵極電阻RG來調(diào)節(jié)IGBT的動(dòng)態(tài)特性,使其工作在最佳開關(guān)狀態(tài)。
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件,它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性,
2010年,變頻器行業(yè)增長(zhǎng)速度達(dá)到27.27%,主要是中低壓變頻器去年供不應(yīng)求,增速達(dá)到30%,第一次出現(xiàn)比高壓變頻器增速高的狀況,高壓變頻器增速為22.7%。
高壓變頻器競(jìng)爭(zhēng)加劇,價(jià)格繼續(xù)呈下降趨勢(shì)。經(jīng)過測(cè)算,未來變頻器行業(yè)將繼續(xù)維持20%左右的速度高速增長(zhǎng)。
IGBT管在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位IGBT管的開通和關(guān)斷是由柵極電壓來控制IGBT管的。
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