2004年中國半導體存儲器市場規模預計達到498.3億元，銷量預計達到50.8億塊，較2003年增長37.8％，仍然保持了高速增長，但是由于價格降低，市場規模增速由2003年的48.2％降低為26.4％。賽迪顧問認為，2005以后由于年中國消費電子以及移動電話產業增長速度逐漸放緩，存儲器市場需求也逐漸趨緩，2005年中國半導體存儲器市場規模增速降低為16.2％，銷售額預計達到579.2億元，銷量預計達到67.7億塊，較2004年增長33.3％。
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一、2004年中國半導體存儲器市場發展特點
新興應用拉動半導體存儲器市場需求
隨著電子產品的功能日益豐富，成本效益佳、功耗低、密度高及外型小的存儲器產品的市場需求日益增加。例如新型手機技術需要更高的存儲密度來支持帶寬需求，以便從僅具通話功能的傳統手機向語音/數據手機轉換，并最終發展成為集高性能和語音、數據、圖像采集功能于一身的電子設備。作為一種非易失性存儲器，FLASH為各種計算機應用、移動及網絡設備帶來了無可比擬的功能和好處。數碼相機是一種快速增長的消費類電子產品，與標準的計算機用存儲器相比，數碼相機需要存儲器的外型更小同時工作電流更低，每臺數碼相機需要128MB-256MB的存儲容量，而低功耗DDR存儲器則可為數碼相機廠商提供理想的解決方案。隨著經濟情況好轉，數據網絡也有非凡增長。網絡傳輸速度不斷加快，網絡處理器對存儲器的性能和密度要求越來越高，以便迅速有效地進行數據包處理，目前阻礙網絡處理器性能增長的關鍵瓶頸在于存儲器的存取速度和密度，因此在下一代交換機和路由器設計中，為實現所需的數據傳輸率、功耗及空間指標，對存儲器的要求就相應大大提高，特別是在容量、帶寬、和每引腳總線效率等幾個方面。
NAND FLASH進入手機市場，兩種FLASH競爭更加激烈
2004隨著NAND FLASH廠商的加入，FLASH廠商之間為了爭奪手機市場而展開了更加激烈的競爭。NOR FLASH一直在手機中占有主導地位，目前大部分手機使用NOR FLASH實現代碼存儲，同時采用SRAM或者PSRAM作為緩存或工作內存，而NAND FLASH廠商提倡把NAND FLASH與SDRAM相結合。NAND FLASH與NOR FLASH相比優點在于NAND FLASH的最大容量可以達到幾個Gigabit，而NOR FLASH的容量只有128Mbit，這成為NAND FLASH將在手機市場替換NOR FLASH的重要因素。但是，當用于modem端時，由于NAND不能隨機訪問，所以需要使用大量DRAM，以供遮蔽(shadow)和運行modem指令代碼，這樣就增加了功耗和延長引導時間，另外，NAND在數據完整性方面也不如NOR可靠，這些缺點將導致成本上升。業界專家之所以認為NAND FLASH將替代NOR FLASH還有一個原因是NAND FLASH的單位比特成本加上其缺點導致的額外成本仍低于NOR FLASH的單位比特成本。因此，Intel、AMD和Fujitsu等大型NOR FLASH廠商面臨壓力，而Samsung、Toshiba和Renesas等NAND FLASH廠商的市場份額則在擴大。
數字消費應用和便攜式產品的應用成為半導體存儲器廠商的產品重點
2004年存儲器廠商相應推出適用于數字消費和便攜式應用的產品。。如Elpida Memory公司退出了系列適用于數字消費應用的高速DRAM器件；Toshiba將兩片4Gb NAND FLASH以TSOP封裝在一起，推出8Gb NAND FLASH，使FLASH體積更加小型化，同時為數字家電開辟了更強勁功能的應用；Renesas開發出可減少誤碼率的SDRAM存儲單元和沒有軟錯誤的SRAM比較適用于移動應用等。同時由于服務器對系統性能的高要求，DDR2在服務器應用中將有更大市場，Hynix發布業界首款基于1Gb的2Gb DDR2 RDIMM，采用該產品能為用戶在高密度的DDR2服務器和工作站系統中擴大內存容量。
二、2005年半導體存儲器市場展望
DDR2產品價格將會不斷下降
隨著各個DRAM廠商DDR2新產品的不斷推出和Inter的5款支持DDR2芯片組公布顯示了半導體廠商對DDR2技術的明顯擁護，但是，DDR2成為市場主流還需要時日。目前，DDR2產品的價格還很高，這是市場對DDR2產品持懷疑態度的主要原因。而DDR2產品價格偏高主要因素有以下幾個方面：首先，因為DDR2器件尺寸的增加，DDR2在每個晶圓上生產出更少的器件，而單個DDR2器件尺寸的增加也造成成本的提高；其次，DDR2采用了成本較高的BGA封裝和速度更快的測試，從而在產品生產和測試階段也增加了成本。DDR2產品的推出和發展速度，在很大程度上依賴于業界何時出現數量可觀而工作穩定的平臺。考慮到現在的狀況，DDR和DDR2產品還必然會在市場上并存很長一段時間。
SRAM的成長將是平穩而漸進的
針對不同的應用市場，SRAM產品的技術發展已經表現出了兩個很清晰的走向：一是向高性能通信網絡所須的高速器件發展；另一個是向低功耗性能演變以適應蓬勃發展的便攜式應用的需要。2004手機等移動終端市場對SRAM的需求約占總需求的50％左右，另有30％左右的SRAM產品被通信市場所消化，因此可以說，目前移動終端與通信領域仍然是SRAM市場主要的驅動力。未來SRAM市場的增長將是平穩和漸進的。這種特點一方面與其所服務的市場屬性有關，更重要的一點是傳統的SRAM技術正在受到其他競爭性的DRAM技術的沖擊：在高速網絡方面，FCRAM和RLDRAM技術正在相互競爭中快速成長；在便攜式應用領域諸如CellularRAM與Mobile FCRAM等PSRAM產品也正在逐漸擠壓原先由SRAM獨占的低功耗應用的空間。盡管SRAM在某些方面還有其難以替代的功能特性，但市場對存儲器產品在速度、存儲密度、功耗等方面綜合性的要求將繼續推進那些SRAM替代技術的發展。
手機對存儲器容量的需求將逐漸攀升
手機里的存儲器大多使用LP SRAM，因為SRAM比DRAM省電，但是隨著未來手機、PDA等產品的分界線越來越模糊，手機上的功能也越來越多，這將使手機對存儲器容量的的需求也逐漸攀升。在容量提升方面有所限制的LP SRAM將逐漸被淘汰。1T SRAM及LP DRAM在容量方面都比LP SRAM高，但就省電方面看，1T SRAM的頻率比LP DRAM低，消耗的電量也比較少，所以1T SRAM相對于LP DRAM在手機上使用的優勢又相對較高。除了以1T SRAM或是LP SRAM來取代LP SRAM之外，廠商考慮到節省空間也會將LP SRAM及 NOR FLASH以多芯片封裝（MCP）的方式封裝成一個堆棧式內存芯片。未來，若是存儲器二線廠商打算進入手機用存儲器市場，最好先與提供手機用FLASH的國際大廠合作，這樣切入手機用存儲器市場機會比較大；若選擇不于FLASH大廠合作，而采用二線廠商或用自產的FLASH 芯片，則建議以低價策略取得與手機廠商合作的機會。
多芯片封裝產品將成市場主流
全球通訊及消費性電子產品應用面擴大，功能也日益進入整合階段，對FLASH、DRAM容量的需求愈來愈高，而多芯片封裝（MCP）技術可以將FLASH、DRAM等不同規格的芯片利用系統封裝方式整合成單一芯片，且生產前置時間短、制造成本低，且具低功耗特性、高數據傳輸速率等優勢，已經是便攜式電子產品內建內存產品最主要的規格，另外數字電視、機頂盒、網絡通訊產品等也已經開始采用各式MCP產品。 2004年MCP的全球需求量由2003年的2.3億塊增長到3.4億塊，增長了47.8％，預計2005年全球需求量將達到4.2億塊。隨著各式便攜式信息裝置對存儲器特性需求的日益多元化，全球包括Samsung、Hynix、Intel等重量級IC廠商都紛紛看好此市場前景，競相推出相關產品。目前Renesas的嵌入式存儲器出貨量中大約90％是MCP，Spansion也表示其公司無線市場上存儲器的出貨量80％是MCP，而兩年前這個比例只有30％。因此過去單一芯片應用市場已經勢微，多芯片封裝產品將成為市場主流