賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 6 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎。
《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應(yīng)用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴(yán)格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設(shè)備中顯著提高效率和節(jié)省大量空間，被授予“功率元器件”類之最佳應(yīng)用獎。
Vishay Siliconix Si8851EDB是業(yè)內(nèi)首個采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V MOSFET，具有極低的導(dǎo)通電阻，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻分別低至8.0mΩ和11.0mΩ。與最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，Si8851EDB的高度低50%，在4.5V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻幾乎只有前者的一半，單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低37%。Si8851EDB的導(dǎo)通電阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm MOSFET的導(dǎo)通電阻，外形尺寸則小56%，單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低30%以上。
Si8851EDB的高度只有0.4mm，適用于平板電腦、智能手機(jī)和筆記本電腦的電源管理應(yīng)用中的負(fù)載和電池開關(guān)。器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者能夠在電路里實現(xiàn)更低的壓降，從而更有效地使用電能，延長電池使用時間，同時其小尺寸占位可節(jié)省寶貴的PCB空間。
2013年度電源產(chǎn)品獎在深圳舉行的《電子產(chǎn)品世界》“綠色電源與電源管理技術(shù)研討會”上向獲獎企業(yè)頒發(fā)。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。