林莉鈞說，進(jìn)入2025年初，預(yù)計(jì)下游庫存可能會(huì)過低，將進(jìn)一步推動(dòng)產(chǎn)能利用率，尤其是晶圓代工和封裝領(lǐng)域。雖然市場(chǎng)對(duì)GPU供應(yīng)商推動(dòng)架構(gòu)過快而產(chǎn)生的良率，但預(yù)期這些問題在未來幾個(gè)月內(nèi)會(huì)逐步改善。
 

針對(duì)先進(jìn)制程，2納米技術(shù)被視為未來幾年的重要機(jī)會(huì)，預(yù)計(jì)將超過3納米的需求高峰。隨著AI、PC和手機(jī)對(duì)運(yùn)算能力的需求上升，且成熟制程晶圓代工廠利用率回升，預(yù)計(jì)臺(tái)灣的晶圓代工廠明年將呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

瑞銀臺(tái)灣硬體科技研究部主管陳星嘉指出，AI伺服器方面，首先投資人擔(dān)心美國(guó)四大云服務(wù)商（CSP）資本支出是否能持續(xù)，進(jìn)而影響臺(tái)灣供應(yīng)鏈。

記憶體寒冬將至供過于求問題將延續(xù)至2026
 

外界普遍認(rèn)為記憶體市況正走在穩(wěn)健的道路之際，外資摩根士丹利最新報(bào)告卻大潑冷水，直言記憶體“寒冬將至”，DRAM市場(chǎng)恐從周期性高峰回落，預(yù)期最快將于第4季反轉(zhuǎn)向下，開始面臨供過于求壓力，不僅接下來訂價(jià)環(huán)境更具挑戰(zhàn)，供過于求問題更會(huì)一路延續(xù)至2026年。

大摩是近期開出第一槍看壞記憶體市況的外資，法人認(rèn)為，若DRAM市況反轉(zhuǎn)向下，將牽動(dòng)臺(tái)灣相關(guān)業(yè)者后市。

大摩今年第2季初仍看多記憶體市況，當(dāng)時(shí)認(rèn)為在AI快速發(fā)展下，將導(dǎo)致DRAM和高頻寬記憶體（HBM）供不應(yīng)求，預(yù)計(jì)整個(gè)DRAM市場(chǎng)供應(yīng)缺口高達(dá)23%，樂觀預(yù)期將出現(xiàn)產(chǎn)業(yè)“超級(jí)周期”。短短半年大摩即“變臉”，最新記憶體產(chǎn)業(yè)報(bào)告出現(xiàn)180度大轉(zhuǎn)變。

摩在最新報(bào)告指出，“行業(yè)不會(huì)永遠(yuǎn)處于夏季，寒冬總會(huì)到來”，盡管記憶體價(jià)格仍在上漲，但隨著供應(yīng)追上需求，增長(zhǎng)速度正在接近峰值，將記憶體周指標(biāo)自2021年以來首次從“周期后期”調(diào)整為“周期峰值”，研判在接下來的幾個(gè)季度中，記憶體產(chǎn)業(yè)將走完一個(gè)完整周期，最快今年第4季就會(huì)看到這個(gè)高峰周期結(jié)束。

大摩強(qiáng)調(diào)，雖然AI需求相對(duì)仍強(qiáng)勁，但傳統(tǒng)終端市場(chǎng)最近幾周已惡化或保持疲軟，并導(dǎo)致價(jià)格下滑，初步跡象表明，第4季訂價(jià)環(huán)境將更具挑戰(zhàn)，預(yù)期恐于2025年出現(xiàn)趨勢(shì)逆轉(zhuǎn)，DRAM將一路供過于求至2026年，主因庫存持續(xù)積累，并加劇供需失衡狀況。

就主要廠商后市來看，大摩大刀一揮，大砍SK海力士目標(biāo)價(jià)，從26萬韓元腰斬至12萬韓元。

大摩認(rèn)為，SK海力士今年大部分時(shí)期仍將表現(xiàn)良好，但從第4季開始烏云密布；大摩看壞SK海力士之際，對(duì)南亞科、旺宏等臺(tái)灣記憶體廠也同步給予“減碼”評(píng)等，使得以DRAM為主要貨源、常因市況起伏而影響營(yíng)運(yùn)的威剛、十銓、創(chuàng)見等記憶體模組廠后市同受關(guān)注。

HBM市場(chǎng)分散化、AI投資達(dá)高峰明年恐供過于求

外資摩根士丹利最新報(bào)告開出進(jìn)看壞DRAM市況的第一槍之際，同步唱衰當(dāng)紅的高頻寬記憶體（HBM）后市，預(yù)期隨著市場(chǎng)分散化以及AI領(lǐng)域投資達(dá)到高峰，明年HBM市場(chǎng)可能供過于求。惟記憶體業(yè)者普遍不認(rèn)同大摩的觀點(diǎn)，認(rèn)為HBM市場(chǎng)一路旺到2025年無虞。

大摩的觀點(diǎn)是，每家記憶體廠都在根據(jù)HBM產(chǎn)出的最佳可能情況進(jìn)行生產(chǎn)，將全球原本用于生產(chǎn)DRAM的15%產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至生產(chǎn)HBM，這只需要少量的資本投資，預(yù)估僅不到2024年DRAM晶圓制造設(shè)備的10%，然而，如果按這個(gè)計(jì)畫進(jìn)行，HBM產(chǎn)能可能會(huì)面臨過剩。

大摩直言，現(xiàn)階段業(yè)界良好的HBM供應(yīng)狀態(tài)，2025年時(shí)，恐面臨實(shí)際產(chǎn)出可能會(huì)逐漸趕上、甚至超過當(dāng)前被高估的需求量。一旦上述問題浮現(xiàn)，導(dǎo)致HBM供過于求，記憶體廠可把產(chǎn)能挪回制造DDR5，并閑置一小部分后端設(shè)備。

目前全球HBM主要由SK海力士、三星、美光等三家國(guó)外大廠供應(yīng)，臺(tái)廠并未涉入HBM制造。相較于大摩看壞HBM市場(chǎng)發(fā)展，SK海力士、三星仍力挺HBM后市。

三星、SK海力士本月初來臺(tái)參加國(guó)際半導(dǎo)體展（SEMICON Taiwan 2024），當(dāng)時(shí)兩大廠即同步釋出對(duì)HBM后市正向看待的觀點(diǎn)，并積極推出最新產(chǎn)品，且不約而同強(qiáng)調(diào)將強(qiáng)化與其他晶圓廠合作。

三星并推估，HBM市場(chǎng)規(guī)模今年將達(dá)到16億Gb，相當(dāng)于2016年到2023年加起來再乘以兩倍的數(shù)字，顯現(xiàn)HBM市場(chǎng)爆發(fā)力強(qiáng)勁，看好AI將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)蓬勃發(fā)展。為此，三星下世代MCRDIMM也已經(jīng)準(zhǔn)備好將在年底量產(chǎn)，并推出32Gb DDR5。