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          聞泰科技、三安光電財報出爐,聚焦SiC與GaN進展

          發布時間:2025-04-28 來源:中自網 類型:行業資訊 人瀏覽
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          導  讀:

          近日,聞泰科技與三安光電相繼發布最新財務報告,這兩家公司均在第三代半導體碳化硅和氮化鎵領域展現出積極的布局和顯著的進展。聞泰科技憑借其在半導體和通信技術領域的多元化優勢,在車規級碳化硅應用和氮化鎵高效能領域取得突破;而三安光電則依托其在化合物半導體領域的深厚積累,在碳化硅產業鏈的垂直整合和多元應用上...,電源,光伏,光電,應用,半導體

           近日,聞泰科技與三安光電相繼發布最新財務報告,這兩家公司均在第三代半導體碳化硅和氮化鎵領域展現出積極的布局和顯著的進展。聞泰科技憑借其在半導體和通信技術領域的多元化優勢,在車規級碳化硅應用和氮化鎵高效能領域取得突破;而三安光電則依托其在化合物半導體領域的深厚積累,在碳化硅產業鏈的垂直整合和多元應用上持續發力。

          聞泰科技:AI賦能,功率半導體迎來新機遇

          聞泰科技是一家全球領先的半導體和通信技術公司,業務涵蓋半導體、光學、無線和功率器件等領域。2024年,公司繼續在半導體領域加大研發投入,特別是在碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料方面取得了顯著進展。

           

          4月25日,聞泰科技發布2024年年報,顯示公司營收達到735.98億元,同比增長20.23%。其中,半導體業務表現尤為突出,實現營收147.15億元,凈利潤22.97億元,毛利率達37.47%。


           


          值得強調的是,聞泰科技半導體業務在中國區市場表現強勁,收入連續四個季度實現環比增長,中國區收入占比穩步提升至46.91%,且在2025年第一季度同比增長約24%。

           

          在第三代半導體領域,聞泰科技在碳化硅和氮化鎵方面均取得了顯著進展。

           

          ●碳化硅方面,公司成功推出了高性能車規級1200V SiC MOSFET,該產品憑借其卓越的性能,已廣泛應用于電池儲能、光伏逆變器等工業場景,展現出強大的市場潛力。

           

          ●氮化鎵方面,聞泰科技作為行業內少數能夠同時提供D-mode(耗盡型)和E-mode(增強型)GaN器件的企業,其產品線覆蓋了40V至700V的電壓規格,并已在消費電子快充以及通信基站等領域實現量產交付,進一步鞏固了公司在高效能、低功耗半導體領域的領先地位。

           

          為進一步滿足全球客戶對下一代寬禁帶半導體產品的需求,聞泰科技于2024年6月宣布計劃投資2億美元用于SiC、GaN等產品的研發,并將在漢堡工廠建設相應的生產設施,彰顯了公司在第三代半導體領域的戰略決心。

           

          此外,由聞泰科技控股股東代建的臨港12英寸車規級晶圓廠已順利完成車規認證并實現量產。這一里程碑事件標志著聞泰科技在車規級芯片的自主產能和工藝水平邁上了新的臺階,為其包括碳化硅在內的模擬芯片國產化進程提供了堅實的保障。

           

          在報告中,聞泰科技指出,AI算力的爆發為功率半導體開辟了新的增長點。在AI服務器和AI終端中,公司GaN器件能夠有效提升能源轉換效率,降低能耗和成本,并實現更小的器件尺寸,從而提高數據中心等運算密集型應用的效率。同時,隨著端側算力的發展,GaN FET芯片已成功在消費電子快充客戶中實現量產。

           

          三安光電:深耕化合物半導體,碳化硅業務多點開花

           

          三安光電持續聚焦化合物半導體核心主業,穩步推進LED業務,并積極拓展射頻前端、電力電子、光技術等集成電路業務。

           

          source:三安光電


          根據最新報告,三安光電在2025年第一季度實現主營收入43.12億元,較上年同期增長21.23%。更為顯著的是,歸屬于母公司的凈利潤達到2.12億元,同比大幅增長78.46%。扣除非經常性損益后的凈利潤為7469萬元,較去年同期激增331.43%,展現出強勁的盈利能力。

           

          回顧2024年,三安光電實現營業收入約118.5億元,同比增長約14.61%。盡管年度凈利潤約為2.5億元,同比下降約31.02%,但值得關注的是,集成電路業務表現突出,實現主營業務收入同比增長23.86%,其中碳化硅產品展現出強勁的增長勢頭,為公司整體營收增長注入了新的動能。

           

          據悉,在2024年,三安光電集成電路業務實現顯著進展,其中碳化硅業務是三安光電的重點發展方向,公司圍繞車規級應用,加快碳化硅MOSFET技術迭代,并穩步推進與意法半導體合資的重慶8英寸碳化硅項目落地。湖南三安作為國內為數不多的碳化硅產業鏈垂直整合制造平臺,已擁有6英寸碳化硅配套產能16,000片/月,8英寸碳化硅襯底、外延產能1,000片/月,8英寸碳化硅芯片產線正在建設中,擁有硅基氮化鎵產能2,000片/月。具體來看:

           

          ●產品布局:湖南三安已完成650V到2000V、1A到100A的全電壓電流的碳化硅二極管產品梯度建設,其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應用于光伏領域,第六代低正向導通電壓產品主要應用于電源領域。

           

          ●SiC MOSFET產品:公司已完成從650V到2000V、13mΩ到1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產品布局,應用于光伏、充電樁、工業電源、數據中心及AI服務器電源等工業級市場,部分產品已實現量產并批量供貨。

           

          ●合資項目進展:湖南三安與意法半導體在重慶設立的合資公司安意法已于2025年2月實現通線,首次建設產能2,000片/月,規劃達產后8英寸外延、芯片產能為48萬片/年。湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導體一期產線已實現通線,全橋功率模塊已在2025年一季度實現批量下線。

           

          而在射頻前端領域,該公司構建了專業的射頻代工平臺和產品封裝平臺,提供包括射頻功放/低噪放、濾波器、SIP封裝等差異化解決方案,廣泛應用于手機、WiFi、物聯網、路由器、通信基站等市場。受益于終端市場需求的回暖以及客戶供應鏈的調整,公司的砷化鎵射頻代工及濾波器業務營業收入較上年同期實現了大幅增長,鞏固了其在射頻前端國產供應鏈中的重要地位。

           

          在氮化鎵射頻代工領域,公司面向通信基站市場提供高性能氮化鎵射頻功放代工平臺,并積極投入消費級射頻及6G應用工藝的研發,客戶結構實現突破,與國際客戶的合作產品已通過初步驗證。

           

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