中國南車大功率IGBT產業化基地株洲奠基，這標志著中國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動。
IGBT(新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、
電力電子、
新能源汽車等戰略性產業領域，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經濟的“核芯”。
占地160畝、由中國南車株洲所具體實施的中國南車大功率IGBT產業化基地項目，總投資14億元人民幣，預計到2013年正式投產。項目建成后，將具備年產12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊的能力，年產值超過20億元。
“目前，國內缺少IGBT的產業化設計、生產、封裝、測試和可靠性試驗等一套完整的技術，國內IGBT的主要供應商為外國廠商。大功率IGBT產業化基地的建設，將改變核心技術受制于人，產品依賴進口的不利局面，提升中國軌道交通等重大裝備制造業的核心競爭力。”南車株洲所總工程師馮江華表示。