中國，2021年9月9日——意法半導體的STDRIVEG600半橋柵極驅動器輸出電流大，高低邊輸出信號傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅動GaN增強型FET高頻開關。
STDRIVEG600的驅動電源電壓高達20V，還適用于驅動N溝道硅基MOSFET管，在驅動GaN器件時，可以靈活地施加6V柵極-源極電壓(VGS)，確保導通電阻Rds(on)保持在較低水平。此外，驅動器還集成一個自舉電路，可大限度降低物料清單成本，簡化電路板布局。自舉電路使用同步整流MOSFET開關管，使自舉電壓達到VCC邏輯電源電壓值，從而讓驅動器只使用一個電源，而無需低壓降穩壓器(LDO)。
STDRIVEG600的dV/dt為±200V/ns，確保柵極控制在惡劣的電氣環境中具有較高的可靠性。邏輯輸入兼容低至3.3V的CMOS/TTL信號，方便連接主微控制器或DSP處理器。高邊電路耐受電壓高達600V，可用于高壓總線高達500V的應用領域。
驅動器的輸出灌電流/拉電流為5.5A/6A，并提供獨立的導通和關斷引腳，讓設計人員可以選擇適合的柵極控制方式。此外，高低邊電路都支持與功率開關源極相連的開爾文連接方法，以增強控制性能。低邊驅動器的專用接地和電源電壓引腳可實現開爾文連接，確保開關操作穩定，并允許使用分流電阻器檢測電流，而無需額外的隔離或輸入濾波電路。
驅動器內置完備的安全保護功能，其中，高低邊驅動欠壓鎖定(UVLO)可以防止功率開關管在低效率或危險工況下運行；互鎖保護可以避免開關管交叉導通。其他保護功能包括過熱保護、省電關閉功能專用引腳。
STDRIVEG600適用于高壓PFC、DC/DC和DC/AC變換器、開關電源、UPS電源系統、太陽能發電，以及家用電器、工廠自動化和工業驅動設備的電機驅動控制等應用。
驅動器有兩款配套開發板，幫助設計人員快速啟動新項目，其中，EVSTDRIVEG600DG板載一個150mΩ650V GaN HEMT晶體管，該晶體管采用5mm x 6mm PowerFLAT封裝，帶有Kelvin驅動源引腳；EVSTDRIVEG600DM開發板配備一個STL33N60DM2內置快速恢復二極管的MDmesh 115mΩ600V硅基MOSFET功率開關，該晶體管采用帶有Kelvin驅動源引腳的8mm x 8mm PowerFLAT封裝或者DPAK封裝。