陳子穎
英飛凌科技工業功率控制事業部市場總監
我們持續在開發新一代的芯片技術，采用微溝槽技術的TRENCHSTOP? IGBT7產品系列已經全面建立，從單管封裝到大中小功率模塊全面覆蓋，在PCIM的展會上你能感覺到IGBT7的時代已經到來。
這是為各類應用定義的芯片，譬如按照電機驅動的過載條件定義，使得產品的輸出電流能力充分得到利用，系統的功率密度可以相應提高，降低系統成本。
英飛凌引領著SiC的工業應用市場，并以業界最廣泛和最可擴展的產品組合成功地推動SiC在汽車領域的應用。公司直接或通過分銷向3,000多個客戶供貨。20多年來，碳化硅（SiC）對英飛凌來說一直很重要。我們預計，本財年碳化硅業務將增長90%，到2025年左右銷售額將達到10億美元，占有30%的市場份額。
陸思清
大中國區三菱電機半導體應用技術中心副經理
隨著功率半導體市場競爭加劇，三菱電機將利用現有技術的優勢，致力于低功耗和高功率密度的模塊開發。
蘇勇錦
羅姆半導體（深圳）有限公司技術中心高級經理
在功率半導體方面，相比硅，碳化硅具有高效率等特性，因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續航里程并削減電池體積和成本。
作為碳化硅元器件的領軍企業之一，羅姆一直致力于先進產品的開發，早在2010年便于業界首次量產SiC MOSFET。在車載領域，羅姆于2012年推出了支持AEC-Q101認證的車載品，并在車載充電器（OBC）領域擁有很高的市場份額。此外，羅姆碳化硅產品還應用于車載DC/DC轉換器等領域。2020年6月，羅姆發布了業界先進的第4代低導通阻抗碳化硅MOSFET。與以往產品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下，成功實現業界較高水平的低導通電阻。此產品非常適用于包括主機逆變器在內的車載動力總成系統和工業設備的電源。業界預計2023年開始碳化硅在主機逆變器上的應用需求會增加，現在是重要的時間窗口，羅姆第四代碳化硅MOSFET已經獲得很多廠商的評估和詢價。
與此同時，以SiC功率器件為核心，羅姆提供各種充分發揮功率器件性能的模擬IC（絕緣柵極驅動器和電源IC等），提供適合各個應用的更佳解決方案。
小田切 亨
富士電機（中國）有限公司副總經理、半導體營業本部 本部長
良性的競爭對企業來說既是一種挑戰，也是一種激勵。在政府提出的“雙碳”戰略目標的指引下，新能源市場長期利好的背景下，憑借著多年的技術積累，豐富的行業應用經驗和良好的客戶口碑，我相信我司的產品在追求高可靠性及高效率的中高端市場有良好的應用前景。
賈鵬
安森美(onsemi)全球方案中心應用市場工程師
功率半導體市場加速發展，是受可持續發展和抗擊氣候變化的大趨勢所推動的。新能源也是安森美重點關注的細分領域之一，我們的戰略是以高度差異化的智能電源和智能感知技術，推動顛覆性創新，賦能可持續的生態系統。安森美的智能電源和智能感知方案提供相輔相成的力量和最先進的功能以達至最佳效果。我們的智能電源方案使客戶以更輕的重量超越功率范圍目標，以無與倫比的能效降低系統成本，以實現最高能效的太陽能電池組、工業電源、儲能系統和推進汽車功能電子化，賦能高能效的快速充電系統。
第三代半導體SiC技術，進入的門檻很高，安森美是全球屈指可數的少數幾家具備從晶體生長到晶圓制造再到成品封裝全產業鏈整合的供應商之一，這賦予了我們獨特的競爭優勢。此外，安森美正進一步優化供應鏈和制造網絡，包括對300mm晶圓廠和SiC的不斷擴產，以為戰略客戶提供長期的供應保證。
胡少偉
南京芯長征科技有限公司市場部經理
功率器件是否成功應用于特定系統，至少包含兩個維度：參數特性(“能不能用”)和可靠性特性(“能不能長期用”)。在解決”能不能用”的問題上，芯長征有一套成熟的研發體系，按照生產一代、研發一代、預演一代的體系進行產品的代際更新；比如目前采用G3技術開發的用于汽車的IGBT模塊，參數特性可直接對標業界主流的第七代產品；同時，我們在研發中的G4技術，功率密度將進一步提升，通過我們市場搜集，該技術目前國外同行均處于研發階段，在IGBT技術層面我們走在了前列。
在“能不能長期用”的問題上，芯長征做了以下布局，首先，劃分了不同等級的可靠性標準(分別針對車歸類、工規類、消費類)，實施分類管理；其次，在可靠性設備上做了大量通用設備的采購以及專用設備的開發；再次，更為重要的是，芯長征結合特定領域對可靠性的要求，以及標桿客戶的特定需求，制定可靠性項目和實驗方法，保證產品的長期可靠性。補充說明一點，第三代半導體SiC產品，芯長征也一直在布局，目前在芯片端以及產品的可靠性方面也取得了一定突破，待信息可以披露，及時分享給大家。
王思亮
成都森未科技有限公司COO
作為以芯片設計和銷售為主營業務的公司，森未科技的特點在于：首先，具有自主設計開發的芯片，截止目前已超過100款，適用于新能源市場的各個方面，目前已經應用于光伏、儲能、充電樁、電機驅動等各個細分領域。豐富的自主芯片庫使我們具備了應對市場競爭的最基礎和最關鍵的要素。其次，芯片技術的快速迭代。森未科技團隊專注于IGBT等功率半導體芯片研發，迄今已超過10年，從平面柵&NPT到現在的溝槽柵&FS，持續不斷地進行芯片技術迭代。針對新能源市場，森未科技已經開發完成并正在優化高速H系列和U系列產品，并有強有力的應用團隊協助與支持，將為新能源客戶提供更適合的解決方案和專業服務。
吳毅鋒
珠海稼未來科技有限公司CEO&CTO
在新能源市場，新興的功率半導體廠商還是以硅基為主，其產品主要是MOSFET和IGBT。我們堅信提高轉換效率和功率密度是新能源產業永恒的追求。氮化鎵方案的轉換效率和工作頻率比MOSFET高，遠超IGBT，符合行業發展趨勢。因此鎵未來從一開始的定位就是大功率氮化鎵器件制造商及高功率密度應用服務商。我們用柵極高可靠性、易于驅動的氮化鎵HEMT來滿足客戶對設計魯棒性的要求。在雙向儲能市場，大部分的氮化鎵方案采用的都是鎵未來的器件。我們也跟國內頭部的光伏企業、充電樁企業合作，發揮氮化鎵的高頻性能，開發更高功率密度的電源產品。
Doug Bailey
Power Integrations市場營銷副總裁
PI的理念是不斷提高自身產品的集成度。這不僅有利于提高產品性能、質量和可靠性，而且對于供應鏈管理中的組件分配也特別有益。Power Integrations將繼續開發具有定制功能集的市場特定產品，以滿足注重成本優勢的大批量市場以及高端應用的需求。